Gaya APA
Penumbuhan Lapisan Oksida Ga2O3 Di Atas Wafer GaAs Tipe-n Menggunakan Metode Oksidasi Kering Dan Kar. (2005).
:
FMIPA UNS.
Gaya MLA
Penumbuhan Lapisan Oksida Ga2O3 Di Atas Wafer GaAs Tipe-n Menggunakan Metode Oksidasi Kering Dan Kar.
-.
:
FMIPA UNS,
2005.
Skripsi.