Penggayaan APA
SETYOWATI, Ninik. (2005).
Penumbuhan Lapisan Oksida Ga2O3 Di Atas Wafer GaAs Tipe-n Menggunakan Metode Oksidasi Kering Dan Kar (-).
:
FMIPA UNS.
Chicago Style
SETYOWATI, Ninik.
Penumbuhan Lapisan Oksida Ga2O3 Di Atas Wafer GaAs Tipe-n Menggunakan Metode Oksidasi Kering Dan Kar.
-
:
FMIPA UNS,
2005.
Skripsi.
MLA Style
SETYOWATI, Ninik.
Penumbuhan Lapisan Oksida Ga2O3 Di Atas Wafer GaAs Tipe-n Menggunakan Metode Oksidasi Kering Dan Kar.
-
:
FMIPA UNS,
2005.
Skripsi.
Turabian Style
SETYOWATI, Ninik.
Penumbuhan Lapisan Oksida Ga2O3 Di Atas Wafer GaAs Tipe-n Menggunakan Metode Oksidasi Kering Dan Kar.
-
:
FMIPA UNS,
2005.
Skripsi.