Ditapis dengan
Ditemukan 1 dari pencarian Anda melalui kata kunci: author="Huff, Howard."
High Dielectric Constant Materials
Classical Regime for SiO -- Brief Notes on the History of Gate Dielectrics in MOS Devices -- SiO2 Based MOSFETS: Film Growth and Si—SiO2 Interface Properties -- Oxide Reliability Issues -- The Economic Implications of Moore's Law -- Transition to Silicon Oxynitrides -- Gate Dielectric Scaling to 2.0—1.0 nm: SiO2 and Silicon Oxynitride -- Optimal Scaling Methodologies and Transistor Performa…
- Edisi
- 1st ed.
- ISBN/ISSN
- 9783540264620
- Deskripsi Fisik
- XXIV, 710 p.online resource.
- Judul Seri
- -
- No. Panggil
- -
Karya Umum 
Filsafat 
Agama 
Ilmu-ilmu Sosial 
Bahasa 
Ilmu-ilmu Murni 
Ilmu-ilmu Terapan 
Kesenian, Hiburan, dan Olahraga 
Kesusastraan 
Geografi dan Sejarah